Samsung şi IBM trec pe designul Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), un pas înainte în dezvoltarea cipurilor, scrie News.ro.
Pe scurt, pentru a face loc mai multor cipuri, acestea vor fi puse vertical, unele peste altele, în loc să fie montate orizontal, unele lângă altele. Prin urmare, circulaţia curentului va fi şi ea verticală.
Samsung şi IBM, care și-au unit forțele pentru acest proiect, spun că viitoarele cipuri construite pe acest design vor avea fie o performanţă dublă, fie un consum de energie mai mic cu 85%.
Cu această nouă structură, smartphone-urile pot ajunge la o autonomie mai mare de o săptămână și minarea criptomonedelor nu va mai consuma la fel de multă energie ca în prezent. Astfel, toate domeniile în care se folosesc cipuri, de la IoT la nave spaţiale, vor avea doar de câştigat.
